二 首次上电 | bq4050从上电到PF
本手册以3串1并的三星INR21700-50E锂电池组为例。
硬件为Mini4050，工程已开源至OSHWhub。
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连接电池组的顺序应从BAT-、VC1、VC2……一直到BAT+，即从低到高电压连接。
若其中某一节电池是不连接的（因bq4050是1-4S电量计，本手册以3S为例，所以第4节不连接），请在芯片端短接VCx和VC(x-1)。本手册的3S电池组情况即为短路VC4与VC3。
连接好后，如果没有异常，使用EV2400的SMBus接口连接设备，打开bqStudio将会看到类似下图的画面：
下面对bqStudio做一个简要功能介绍。
bqStudio启动后，界面可以主要分为5区，分别是：
- 红：快速状态区。 从这里可以快速查看EV2400与bq4050的连接状态、bq4050的固件版本、地址、温度，电池的电压、电流、容量信息。
- 黄：寄存器数值区。 从这里可以看到电池的实时数值参数。
- 蓝：寄存器状态区。 从这里可以看见电池的状态标志位，诸如充放电、保护状态等。
- 绿：命令区。 这里可以向bq4050发送一些常用指令。
- 紫：功能区。 这里的按钮用来打开更多的子窗口，其中最常用的是“Data Memory”、“Calibration”和“GPC Cycle”功能。
了解了软件的基本功能分布后，我们开始对电量计首次使用前进行一些设置。
来到功能区，点击“Data Memory”按钮打开DF配置页面。
打开DF配置页面前请确保您的设备处于FULL ACCESS状态，即快速状态区的芯片图案右下角没有锁或加号图样。
DF配置页面如下图所示。左侧的一列按钮为切换配置分类，右边的为配置项目。点击“Value”列中的数据可以直接进行编辑。
首先在Calibration分类中我们修改“Current-CC Gain”和“Current-Capacity Gain”两项为“3”（由于本手册示例所用检流电阻为3mR，所以此处配置为“3’”）。这样是为了给定一个粗略的电流校准值。
然后选择“Settings”分类。
我们主要需要设置的是“Configuration”下面的内容，如图所示。
选择“Configuration-FET Options”，bqStudio自动弹出按位修改窗口如下。我们一项项来看：
- PACK_FUSE 本手册示例硬件未使用电化学熔丝，不做修改。
- SLEEPCHG “睡眠状态时启用充电管”，默认为否，不做修改。
- CHGFET “当GaugeStatus的TC位置1时FET动作”，设置为0，即保持FET开启。
- CHGIN “当处于充电抑制（？）模式时FET动作”，设置为1，即关闭FET。
- CHGSU “当处于充电挂起（？）模式时FET动作”，设置为1，即关闭FET。
- OTFET “当处于过温（？）模式时FET动作”，设置为1，即关闭FET。
- PCHG_COMM “选择CHG FET作为预充电路径的FET”，由于本手册示例硬件未使用预充电FET，可将该选项设置为1，即使用CHG FET进行预充电。
配置完后记得点击“Write to Data Memory”，写入设备。
选择“Configuration-Sbs Gauging Configuration”，出现以下窗口：
每项含义及设置为：
- LOCK0 “放电时当RM和RSOC达到0后，电池静置一段时间是否禁止电量显示数值回升至0以上”，设置为1，即禁止显示数值再回升。
- RSOCL “充电末期时若还没有充满，是否保持RSOC为99%直到充电终止才设为100%”，设置为0，即按实际值显示。
设置好后写入。
选择“Configuration-CEDV Gauging Configuration”，出现以下窗口：
每一位含义及设置如下：
- SME0 “直到EDV0前一直启用电量显示平滑功能”，设置为0，即不启用。
- IGNORE_SD “忽略自放电”，设置为0，即不能忽略自放电。
- FC_FOR_VDQ “必须先使FC位被置1，才能达成VDQ”，设置为1，即必须FC置1才能达成VDQ。
- CHG_DEFICIT_EN “确认了充电终止后，是否补齐充电不足量”，设置为1，即自动补齐。
- FCC_LIMIT “若FCC超过设计容量，是否限制FCC为设计容量”，设置为0，即不限制。
- VFLT_EN “判断EDV时是否启用电压数据滤波”，设置为1，即启用滤波。这有助于改善间歇性大电流负载下的EDV判断。
- FIXED_EDV0 “使用固定的EDV0”，设置为0，即不使用。
- SC “针对智能充电器优化FCC学习”，因没有智能充电器，设置为0，即不优化。
- EDV_CMP “动态计算EDV2、1、0的电压值”，设置为1，即启用CEDV功能。
- EDV_PACK “EDV检测是基于整组电池电压还是单节电池电压”，设置为0，即单节电池电压。
- CSYNC “确认了充电终止后，将FCC设置为RM”，设置为0，即不自动设置FCC为RM。
- CCT “循环计数增加时的阈值使用FCC还是设计容量”，设置为0，即使用设计容量。
配置好后写入设备。
选择“Configuration-DA Configuration”，出现如下窗口：
各位选项含义及设置如下：
- FTEMP “用于保护的FET温度的计算方法”，设置为0，即多个中取最大值。
- CTEMP “用于保护的电池温度的计算方法”，设置为0，即多个中取最大值。
- EMSHUT_EN “允许紧急关机”，本手册示例未使用#PRES，不做修改。
- SLEEP “允许睡眠”，设置为1，即允许。
- IN_SYSTEM_SLEEP “允许接入系统时睡眠”，设置为1，即不允许。
- NR “电池组为不可拆除的”，设置为1，即电池组不可拆除。
- CC1、CC0 “设置电池节数”，设置为CC1=1、CC0=0，即3串。
如果你使用其他串数电池组，请如下设置：
- CC1=0、CC0=0：1串（需要改动电路）
- CC1=0、CC0=1：2串
- CC1=1、CC0=1：4串
设置好后写入设备。
选择“Configuration-Balancing Configuration”，出现以下窗口：
各项含义及设置如下：
- CB “启用均衡功能”，设置为1，即启用均衡。
设置好后写入设备。
设置好后可以点击命令区的“RESET”对设备进行复位以确保设备使用了新的配置。
然后选择“Gas Gauging”分类：
然后在“Design”下的三项中输入你的电池组数据。注意任何一项都不能超过32000。cWh的换算方法是将mWh的数字除以10，或将Wh的数字乘以100。
完成以上设置后，bq4050应该开始正常运转了，但是这还不够，还有三项重要的任务需要完成：
- 保护参数设置
- 校准
- 容量学习
后面的三章将会详细讲述具体的操作方法。